Samsung anuncia sus nuevos chips con memoria RAM y almacenamiento NAND en el mismo empaquetado

Samsung ha presentado hoy una nueva línea de chips especiales a su manera, y es que si bien tradicionalmente en un Smartphone encontramos la NAND separada de la memoria RAM, lo que ha hecho Samsung ha sido integrar estos dos tipos de memoria en el mismo encapsulado, ahorrando así espacio y permitiendo aumentar el espacio disponible para una batería más grande, o simplemente ahorrar costes en la fabricación de los propios PCB.

De todos modos, no se trata de chips poco potentes, y es que en su interior encontramos hasta 12GB de memoria RAM LPDDR4X a 4266MHz, así como almacenamiento NAND con interfaz UFS 3.0 de alto rendimiento para los terminales de gama alta más potentes.

Según la propia Samsung, se espera que los terminales que hagan uso de estos uMCP (UFS-based Multichip Packages) consigan anchos de banda de memoria de hasta 34.1GB/s en los SoC compatibles con memoria en cuatro canales, gracias a la presencia de cuatro módulos de memoria internos. En el modelo de 10GB, la disposición será de 2x3GB+2x2GB, mientras que en el modelo de 12GB la disposición será de 4x3GB.

Samsung no ha mencionado ni las capacidades en el lado NAND ni los precios a los que estos módulos llegarán al mercado.

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