Hasta un 40% más de rendimiento y 512 GB en las nuevas memorias UFS 3.1 de Kioxia

KIOXIA, anteriormente conocido como Toshiba Memory, ha anunciado sus nuevos chips de memoria de alto rendimiento UFS 3.1 con capacidades de 256 GB y 512 GB para dispositivos con memoria integrada como smartphones, tablets, pero también cualquier tipo de dispositivo con almacenamiento interno de alta velocidad. La compañía promete una mejora del rendimiento de hasta el 40% en escritura aleatoria y del 30% en escritura del mismo tipo.

Estos chips UFS 3.1 utilizan memorias BiCS Flash 3D de Kioxia

Estos chips UFS 3.1 están basados en su tecnología de celdas BiCS FLASH 3D en su generación más actual de alto rendimiento. Soportan HPB 2.0 (Host Performance Booster) para mejorar el rendimiento en lecturas aleatorias al utilizar la memoria para pasar las tablas de almacenamiento lógico a almacenamiento físico. HPB 2.0 permite acceso a mayores tamaños de fragmentos de datos que los  4 KB que soportaba HPB 1.0.

Además, estos módulos tienen un grosor contenido para no influir demasiado en el tamaño de dispositivos móviles, donde el grosor y miniaturización de componentes es clave. Según la propia Kioxia, sus nuevos chips UFS 3.1 parten de un grosor de solo 0.8 mm en el caso de los modelos con 256 GB de capacidad y de 1 mm para los modelos de 512 Gb de capacidad.

Los chips UFS 3.1 basados en las memorias BiCS Flash 3D de Kioxia llegarán próximamente al mercado, por el momento la compañía ya ha comenzado a enviar samples y muestras a sus clientes y colaboradores, por lo que no tardaremos demasiado en verlos integrados en nuevos dispositivos.

La compañía espera que las memorias UFS estén presentes en 7 de cada 10 dispositivos vendidos con memoria integrada, relegango las memorias eMMC a un 30% del total

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