Micron ya está probando su memoria HBM3 de segunda generación con 1,2 TB/s y 24 GB de capacidad

Ya os contamos que este 2023 será un año en el que la memoria HBM3 aumentará su demanda hasta un 60%, gracias al mayor uso de la Inteligencia Artificial y las tarjetas aceleradoras que consiguen hacerla posible. Para contribuir a esta alta demanda, Micron ya tiene lista su memoria HBM3 de segunda generación, la memoria de mayor capacidad y más rápida que ayudará con las tareas más exigentes que demanda la IA.

Micron ya ha comenzado a probar sus nuevas memorias HBM3 de segunda generación, que cuentan con una capacidad de 8 y 24 GB. Estas memorias han conseguido un ancho de banda total de más de 1,2 TB/s y una velocidad por cada pin de hasta 9,2 Gb/s, esto supone un aumento en el rendimiento de hasta un 50% si lo comparamos con las soluciones que habías hasta este lanzamiento. Pero no solo aumenta su velocidad y capacidad, sino que es capaz de ofrecer hasta un 2,5 más de rendimiento por vatio que en generaciones anteriores.

Para conseguir este rendimiento se ha utilizado el nodo 1 Beta, que permite ensamblar hasta 24 GB en un troquel con 8 alturas, conservando el mismo tamaño estándar. También se espera que las memorias con 12 alturas y que consiguen 36 GB por cada una se comenzarán a probar en el primer trimestre de 2024. Para conseguir esta tecnología de apilamiento, Micron ha recurrido a la tecnología 3DFabric de TSMC, donde también forma parte de esta alianza.

Fin del Artículo. ¡Cuéntanos algo en los Comentarios!