TSMC comenzará la producción de riesgo a 2 nm en Q3 del 2024 y la producción en masa en el Q2 del 2025
Los fabricantes de semiconductores tienen el ojo puesto en sus próximos nodos de 2 nanómetros. Samsung quiere superar a TSMC con este proceso de fabricación, después de algunos problemas con su nodo de 3 nanómetros. Pero TSMC ya está lista para comenzar su producción de riesgo de 2 nanómetros en el cuarto trimestre de este mismo año, y si todo va bien podrá comenzar la producción en masa bajo este nodo avanzado en el 2025.
Este nodo traerá considerables mejoras para los clientes de TSMC, ya que empleará un proceso de fundición de última generación EUV junto con tecnología GAA FET en lugar de la FinFET que venía empleando hasta ahora. Esta tecnología GAA (Gates All Arround) será crucial para dar el paso a los 2 nanómetros y posteriormente pasar a 1 nanómetro. Si la producción de riesgo planeada para este último trimestre del año va bien, TSMC podrá comenzar la producción en masa para el segundo trimestre del 2025.
Estas obleas se fabricarán en su planta de Hsinchu, en el Campus de Baoshan al norte de Taiwan. Mientras tanto, TSMC sigue siendo líder con su nodo FinFET de 3 nanómetros, también conocido como N3. El resto de fabricantes de silicio, Samsung e Intel Foundry, tienen planeado un cronograma similar. Samsung pretende fabricar a 2 nanómetros superando a TSMC, al contar con ventaja a la hora de fabricar la tecnología GAA que ya ha usado en los 3 nanómetros. Intel también tiene previsto una producción en masa para este mismo 2024 bajo su nodo 20A equivalente a estos 2 nanómetros.
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