Samsung anuncia el primer chip de 8 Gb LPDDR5 DRAM fabricado a 10 nm

Samsung acaba de anunciar la fabricación del primer chip de 8 Gb fabricado a 10 nm, destinado a formar memorias DRAM LPDDR5. Estas memorias son las que utilizarán los próximos teléfonos móviles y muchos otros dispositivos portátiles, sobre todo con la llegada de la inteligencia artificial y las redes 5G.

Atrás en 2014, Samsung anunciaba la fabricación del primer chip de 8 Gb, aunque por aquel entonces se trabajaba con memorias DRAM LPDDR4. Ahora, la compañía ofrece estos nuevos chips LPDDR5 en dos variantes, una con un voltaje de 1.1v que funcionará a 6400 Mbps y otra con un voltaje de 1.05v funcionando a 5500 Mbps. En general, estos nuevos chips son un 50% más veloces que los anteriores y tienen una mayor eficiencia, mientras que el consumo global permanece inalterado. La tasa de transferencia de datos llega hasta los 51.2 GBps, lo que equivale a 14 películas de 3.7 GB cada una, por segundo.

Esta innovación se ha llevado a cabo gracias a la duplicación del número de bancos de memoria , desde 8 hasta los 16 actuales, en las celdas de memoria. Otras características de estas nuevas memorias RAM LPDDR5 es la adición de un modo de ahorro de consumo en idle (deep sleep mode), que ofrece un consumo del 50% respecto al que ofrecían las LPDDR4 bajo el mismo modo de ahorro de consumo. Con todo esto, la adición de estos nuevos chips darán vida a los próximos smartphones y dispositivos móviles de la siguiente generación, enfocados a un mercado que pretende tener la inteligencia artificial como punto de partida.

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