Las Nuevas Memorias GDDR6W de Samsung Duplican el Ancho de Banda de la GDDR6

La compañía surcoreana Samsung ha desvelado el nuevo estándar de memorias para tarjetas gráficas GDDR6X con el que consiguen multiplicar por dos el ancho de banda de las memorias GDDR6 y duplicar también su densidad, permitiendo tener en un mismo chip el doble de memoria que con el anterior estándar.

Para conseguirlo, Samsung ha desarrollado un nuevo proceso de diseño y fabricación denominado FOWLP, que son las siglas en inglés de algo como "Empaquetado en forma de abanico a nivel de Oblea" con el que consiguen un alto ancho de banda y capacidad en los chips de memoria al apilar distintas capas.

Cada chip multicapa tiene una altura de 0,7 mm, un 36% menos que la generación anterior GDDR6, con 1,1 mm.

Las memorias VRAM GDDR6W x64 se basan en la tecnología GDDR6 x32, consiguiendo chips que pasan de los 16 Gb a los 32 Gb de capacidad, doblando el ancho de banda y los ciclos de entrada/salida de 32 a 64. Esto supone que en el mismo tamaño, podemos tener el doble de capacidad y de ancho de banda (o reducir a la mitad el tamaño necesario para mantener unos datos de rendimiento y densidad similar a la generación anterior).

Hablamos de unos anchos de banda que pueden alcanzar hasta 1,4 TB/s (22 Gbps por pin) en sistemas de 512 niveles con una octava parte de las entradas/salidas que necesita una memoria HBM2 con 1,6 TB/s y 3,2 Gbps por pin, consiguiendo un ancho de banda similar a esta tecnología pero de manera más económica al no necesitar una capa de interconexión.

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