La compañía surcoreana Samsung ha desvelado el nuevo estándar de memorias para tarjetas gráficas GDDR6X con el que consiguen multiplicar por dos el ancho de banda de las memorias GDDR6 y duplicar también su densidad, permitiendo tener en un mismo chip el doble de memoria que con el anterior estándar.
Para conseguirlo, Samsung ha desarrollado un nuevo proceso de diseño y fabricación denominado FOWLP, que son las siglas en inglés de algo como "Empaquetado en forma de abanico a nivel de Oblea" con el que consiguen un alto ancho de banda y capacidad en los chips de memoria al apilar distintas capas.
Cada chip multicapa tiene una altura de 0,7 mm, un 36% menos que la generación anterior GDDR6, con 1,1 mm.
Las memorias VRAM GDDR6W x64 se basan en la tecnología GDDR6 x32, consiguiendo chips que pasan de los 16 Gb a los 32 Gb de capacidad, doblando el ancho de banda y los ciclos de entrada/salida de 32 a 64. Esto supone que en el mismo tamaño, podemos tener el doble de capacidad y de ancho de banda (o reducir a la mitad el tamaño necesario para mantener unos datos de rendimiento y densidad similar a la generación anterior).
Hablamos de unos anchos de banda que pueden alcanzar hasta 1,4 TB/s (22 Gbps por pin) en sistemas de 512 niveles con una octava parte de las entradas/salidas que necesita una memoria HBM2 con 1,6 TB/s y 3,2 Gbps por pin, consiguiendo un ancho de banda similar a esta tecnología pero de manera más económica al no necesitar una capa de interconexión.
Fin del Artículo. ¡Cuéntanos algo en los Comentarios!
