Samsung ya consigue 16 Gbps por pin en sus HBM4E para poder competir con SK Hynix

Aunque cuando comenzaron la fabricación de los primeros chips de memoria HBM4E en Samsung, prometían velocidades de ancho de banda de hasta 13 Gbps por pin para, posteriormente, dar el salto a los 14 Gbps por pin. Parece que la compañía ha estado trabajando para aumentar esa cifra y poder alcanzar los 16 Gbps, al menos según se puede ver en la diapositiva filtrada de Samsung en  Hot Chips 2026.

Los 13 Gbps de los datos iniciales de la compañía coreana pronto se quedaron cortos tras el anuncio de SK Hynix del envío de las primeras muestras de sus propios chips HBM4E a 16 Gbps por pin, un aumento de velocidad que hacía que las memorias de Samsung nacieran ya con una clara desventaja.

Con 16 Gbps por pin, Samsung ya puede competir con SK Hynix con sus chips de 12 capas HBM4E.

Con la nueva actualización, Samsung se pone al día y podrá competir de tú a tú con SK Hynix, ya que sus memorias podrán ofrecer anchos de banda de 4 TB/s por cada chip aplilado de HBM4E, la misma cifra que los modelos de Samsung tras esta mejora de ancho de banda.

En concreto, los chips de HB4E de Samsung contarán con 12 capas con una densidad de 48 GB para cada uno, aunque se espera que den el salto a chips de 16 capas y 64 GB en el futuro, además de modelos con menor capacidad según las necesidades de sus clientes.

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