Intel apuesta por la memoria de cambio de estado

Este tipo de memoria permite según Intel pasar de las 10.000 escrituras que admite la memoria Flash hasta 100.000.000 de escrituras y logrará también reducir tamaños y costes y aumentar la velocidad de las mismas.

Esta memoria conocida como PCM o PRAM usa el mismo sustrato que los CDs o DVDs regrabables. Este cristal puede pasar a forma cristalina a amórfica de forma controlada con lo que se logra el sistema binario necesario para hacer que almacene datos.

Intel ya ha fabricado este tipo de memoria en obleas de 90nm que están siendo testeadas ya por sus principales clientes. Estas PRAM de 90nm usan más o menos la misma energía que una memoria Flash pero se espera que se reduzcan notablemente en un futuro. También se ha logrado que los datos almacenados en este tipo de memoria puedan aguantar sin corrupción hasta 10 años con temperaturas ambiente extremas de 85º. De hecho IBM ha completado investigaciones con este tipo de memorias consiguiendo velocidades de hasta 500 veces mas rápidas que la memoria flash actual y consumiendo la mitad de energía.

Intel espera comenzar la producción masiva de este tipo de memoria para el 2008 y entrará en directa competencia con las soluciones de memoria flash actuales.

Fin del Artículo. ¡Cuéntanos algo en los Comentarios!