Nuevas tarjetas de memoria MicroSD Express Samsung P9, hasta 800 MB/s y 512 GB de capacidad
por Juan Antonio SotoLos usuarios que están buscando la forma de aumentar el almacenamiento de su nueva consola Nintendo Switch 2, ahora pueden contar con una nueva opción de Samsung. El fabricante coreano ha lanzado la nueva tarjeta MicroSD Express P9, una tarjeta que es capaz de ofrecer hasta 4 veces más velocidad que las MicroSD estándar compatibles con UHS-I. Con este modelo Samsung se prepara para los dispositivos del futuro, donde requerirán menor tiempo de carga y almacenamiento para tus datos y juegos.

La Samsung P9 MicroSD Express ofrece 4 veces más velocidad que una MicroSD estándar
Esta nueva Samsung P9 MicroSD Express es capaz de ofrecer velocidades de lectura de hasta 800 MB/s, además cuenta con un sistema térmico que permitirá su uso prolongado. DTG o Dynamic Thermal Guard mantiene la tarjeta a una temperatura óptima para su funcionamiento, aunque este se extienda a varias horas. En un diminuto tamaño podrás tener hasta medio terabyte de datos, aunque también está disponible con la mitad de capacidad. Con un almacenamiento extra de 512 GB no tendrás que estar borrando juegos para instalar otros, manteniendo tu biblioteca mientras instalas otros títulos.

Opciones de hasta 512 GB en un formato pequeño y compacto
Para que no tengas que preocuparte por un dispositivo pequeño y que parece frágil, Samsung ha dotado de protección contra temperatura, rayos X, imanes, caídas, agua y contra el desgaste. Además, podrás comprobar su salud y aprovechar otras ventajas gracias al software Samsung Magician. Con esta Samsung P9 MicroSD Express estarás preparado para aumentar el almacenamiento de tus dispositivos de próxima generación.

Estas tarjetas están disponibles en tamaños de 256 y 512 GB, y estas son sus especificaciones técnicas completas.
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Especificación |
P9 Express 256 GB (MB-MK256T) |
P9 Express 512 GB (MB-MK512T) |
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Tipo de producto |
Tarjeta de memoria microSDXC |
Tarjeta de memoria microSDXC |
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Aplicación |
Compatible con dispositivos con ranura microSDXC, como móvil, tableta, cámara de acción, dron, portátil o consola de juegos |
Compatible con dispositivos con ranura microSDXC, como móvil, tableta, cámara de acción, dron, portátil o consola de juegos |
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Capacidad |
256 GB (1 GB = 1 mil millón de bytes) |
512 GB (1 GB = 1 mil millón de bytes) |
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Interfaz |
PCIe Gen3 x1, NVMe 1.3, SD 7.1, UHS-I |
PCIe Gen3 x1, NVMe 1.3, SD 7.1, UHS-I |
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Velocidad secuencial de lectura |
SD Express: 800 MB/s / UHS-I: 90 MB/s |
SD Express: 800 MB/s / UHS-I: 90 MB/s |
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Lectura aleatoria (4 KB, QD32) |
SD Express: 65 K IOPS / UHS-I: 12 K IOPS |
SD Express: 65 K IOPS / UHS-I: 12 K IOPS |
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Escritura aleatoria (4 KB, QD32) |
SD Express: 52 K IOPS / UHS-I: 12 K IOPS |
SD Express: 52 K IOPS / UHS-I: 12 K IOPS |
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Lectura aleatoria (4 KB, QD1) |
SD Express: 9 K IOPS / UHS-I: 2 K IOPS |
SD Express: 9 K IOPS / UHS-I: 2 K IOPS |
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Escritura aleatoria (4 KB, QD1) |
SD Express: 30 K IOPS / UHS-I: 2 K IOPS |
SD Express: 30 K IOPS / UHS-I: 2 K IOPS |
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HMB (Host Memory Buffer) |
Compatible |
Compatible |
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Clase de velocidad |
U3, V30, A1 |
U3, V30, A1 |
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Resistencia magnética |
15 000 Gauss (30 s) |
15 000 Gauss (30 s) |
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Resistencia a rayos X |
100 mGy |
100 mGy |
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Resistencia al agua |
1 m de profundidad, 3 % NaCl, 25 °C |
1 m de profundidad, 3 % NaCl, 25 °C |
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Resistencia a la humedad |
40 °C / 93 %, 85 °C / 85 % |
40 °C / 93 %, 85 °C / 85 % |
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Durabilidad mecánica |
10 000 ciclos de inserción |
10 000 ciclos de inserción |
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Certificaciones EMC |
CE (UKCA) / FCC / VCCI / RCM |
CE (UKCA) / FCC / VCCI / RCM |
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Garantía |
Limitada de 3 años |
Limitada de 3 años |
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