Semiconductores basados en diamantes

Los chips con base en diamante pueden trabajar a temperaturas de más de 1000 ºC, en comparación con los de base en Silicio que dejan de trabajar a los 150 ºC. Esto significa que se puede aplicar más carga a los chips de diamantes, imprimiendo más velocidad de proceso y tendrán la posibilidad de trabajar en condiciones de temperatura más altas. De igual forma podrán resistir más voltaje por lo que su tamaño será menor.

Se espera que la transición del Silicio al diamante se complete en un periodo de 20 años debido al precio excesivo del material necesario para su elaboración. También existe el problema añadido de la fluidez de la electricidad a través del diamantes. Según parece necesita una impureza que aún está por determinar para que está fluidez sea óptima.

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