Samsung vuelve a las celdas SLC como pilar principal para su Z-NAND

Samsung está en pleno desarrollo de Z-NAND, un nuevo tipo de almacenamiento de alto rendimiento con baja latencia diseñado específicamente para competir de tú a tú con la memoria 3D XPoint, memoria que Intel utiliza para fabricar sus SSD Optane y DIMMs no volátiles.

Según Samsung, Z-NAND es la implementación SLC propia de la 3D V-NAND, que es la utilizada en la práctica mayoría de las unidades de estado sólido de la compañía. Como ya es conocido en la industria, existen varias opciones de implementación, siendo la más reciente QLC, que otorga mayor densidad de datos a un precio mucho menor, a costa de una reducción del rendimiento y de la durabilidad, mientras que en el extremo más caro encontramos esta SLC, que otorga el máximo rendimiento posible y una gran durabilidad a cambio de una densidad de datos menor.

Esta vuelta de Samsung a volver a fabricar unidades de estado sólido SLC se debe a una aparente demanda de empresas como Aerospike, que aun utilizan estas unidades como caché en aplicaciones residentes en memoria, por lo que se necesitan las unidades más rápidas posibles para poder acercarse a las velocidades y latencias que podemos encontrar en la memoria RAM.

Esta es otra de las partes importantes del desarrollo de Z-NAND, pues según Samsung, sus ingenieros han estado trabajado para reducir el tiempo de programación de la Z-NAND para conseguir alcanzar las metas de latencia establecidas para los SSD de esta clase.

Además, se ha optado por colocar una caché DRAM de grandes dimensiones, siendo esta de 1.5GB en el caso del Samsung 983 ZET, una unidad de estado sólido que incorpora 480 o 960GB de memoria Z-NAND y que gracias a dicha caché, junto a la memoria SLC, consigue velocidades de más de 3GB/s tanto en lectura como escritura.

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