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Samsung SSD 990 Review: PCIe 4.0 con más rendimiento y más eficiencia que el 990 EVO

Samsung SSD 990 Review: PCIe 4.0 con más rendimiento y más eficiencia que el 990 EVO

por Javier Rodríguez Actualizado: Hace 45 minutos
Formato
Memoria y controladora
Capacidad
Precio
Web
M.2 PCI Express Socket3 2280
Samsung V-NAND Flash QLC - Samsung HMB PCIe4
931GB formateado W11
277,12 euros
Puntuación de Samsung SSD 990 en la review:

Introducción a las las características del Samsung SSD 990

Creo que, con el lanzamiento de esta unidad, que analizaremos completamente en esta review, Samsung está leyendo el mercado actual de la forma adecuada. Cierto es que ahora hay tecnologías más rápidas, Samsung tiene algunos de los modelos más potentes del mercado, pero también es verdad que la situación actual invita a lanzar unidades más económicas y eficientes, como es el caso de esta nueva Samsung SSD 990. Pero, a la vez, que ofrezcan una calidad elevada, tanto en construcción como en rendimiento y prestaciones.

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En esta unidad encontramos todo lo que esperamos de una unidad de almacenamiento Samsung: memorias y controladora desarrolladas en casa, con un control total del proceso, desde el diseño de cada elemento hasta la comercialización. Apoyado, además, con el ecosistema de software de Samsung, que es de los más completos de la industria.

El Samsung SSD 990 tiene prestaciones elevadas dentro del espectro de unidades PCI Express 4.0, desarrollando todo el potencial de transferencia de esta interfaz, aumentando notablemente las velocidades de la Samsung 990 EVO, que era hasta ahora la referencia de la marca en este rango de precios.

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Las cifras son interesantes, con velocidades de hasta 7.250 MB/s de lectura secuencial y 6.450 MB/s de escritura en la versión de 2 TB, con una mejora de más del 50% en escritura secuencial respecto al Samsung SSD 990 EVO. El salto es importante y viene de la mano de memoria V-NAND propia de nueva generación y una controladora bien optimizada para estas unidades de coste controlado. El nuevo Samsung SSD 990 viene en dos configuraciones, 1 y 2 terabytes de capacidad; nosotros hemos analizado la versión más económica, de 1 TB.

Características técnicas del Samsung SSD 990

Hardware

  • Capacidades disponibles:
    • 1 TB
    • 2 TB
  • Controlador: Samsung de desarrollo propio.
  • Memoria NAND: Samsung V-NAND.
  • Memoria caché: HMB (Host Memory Buffer).
  • Formato: M.2 2280.
  • Dimensiones: 80,15 × 22,15 × 2,38 mm (máximo).

Rendimiento

Modelo de 1 TB

  • Lectura secuencial: hasta 7.150 MB/s.
  • Escritura secuencial: hasta 6.450 MB/s.
  • Lectura aleatoria: hasta 700.000 IOPS.
  • Escritura aleatoria: hasta 1.100.000 IOPS.

Modelo de 2 TB

  • Lectura secuencial: hasta 7.250 MB/s.
  • Escritura secuencial: hasta 6.450 MB/s.
  • Lectura aleatoria: hasta 850.000 IOPS.
  • Escritura aleatoria: hasta 1.200.000 IOPS.

Consumo energético

Modelo de 1 TB

  • Lectura (media): 4,0 W.
  • Escritura (media): 3,7 W.

Modelo de 2 TB

  • Lectura (media): 4,3 W.
  • Escritura (media): 3,8 W.

En reposo

  • Estado PS3 (APST activado): 55 mW.
  • Estado PS4 (L1.2): 3 mW.

Fiabilidad

  • Temperatura de funcionamiento: 0 °C a 70 °C.
  • Temperatura de almacenamiento: -40 °C a 85 °C.
  • Humedad de funcionamiento: 5 % a 95 % (sin condensación).
  • Resistencia a golpes: 1.500 G durante 0,5 ms (3 ejes).
  • Resistencia a vibraciones: 20-2.000 Hz hasta 20 G.
  • MTBF (tiempo medio entre fallos): 1,5 millones de horas.

Durabilidad y garantía

  • TBW (Total Bytes Written):
    • 1 TB: 400 TB.
    • 2 TB: 800 TB.
  • Garantía: 3 años (limitada).

Funciones compatibles

  • Compatibilidad con TRIM (requiere soporte del sistema operativo).
  • Garbage Collection.
  • Monitorización mediante S.M.A.R.T.

Seguridad

  • Cifrado completo del disco AES de 256 bits.
  • Compatibilidad con TCG Opal 2.0.
  • Compatibilidad con Encrypted Drive (IEEE 1667).

Memoria V-NAND, HMB y un formato sin sorpresas

A diferencia de la Kioxia que analizamos hace poco, que monta caché DRAM dedicada a razón de 1 GB por cada TB de capacidad, el Samsung SSD 990 recurre a HMB (Host Memory Buffer), es decir, toma prestada una porción de la memoria de la unidad en lugar de integrar su propia memoria caché física. Esta caché se usa para la tabla de escritura, para reducir las esperas en los tiempos de grabación en celda.

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Es una decisión de diseño habitual en unidades que buscan equilibrar coste y rendimiento sin sacrificar demasiado la respuesta en accesos aleatorios, y que Samsung viene perfeccionando en sus gamas EVO Plus. Lo que hace la controladora es acceder a esa zona de la unidad en una configuración SLC, de un solo bit por celda, lo que lo hace mucho más rápido que en su configuración de funcionamiento normal, o de grabación persistente, que es de 3 bits por celda.

El formato es el M.2 2280 de toda la vida, con unas dimensiones máximas de 80,15 x 22,15 x 2,38 mm, lo que garantiza compatibilidad total con cualquier placa base, portátil o consola que soporte este estándar. Las dos capacidades están configuradas en una sola cara, así que su integración en sistemas muy compactos también es posible y la refrigeración, que tampoco es algo crítico en esta unidad debido a su bajo consumo, también se simplifica notablemente.

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El consumo en carga se mueve entre los 3,7 W y los 4,3 W según capacidad y operación, unas cifras muy contenidas que hacen innecesaria una refrigeración muy elaborada, salvo en cargas de trabajo muy sostenidas. Un disipador de contacto, pequeño y ligero, debería ser más que suficiente para mantenerla a niveles de temperatura realmente reducidos y adecuados para maximizar su vida útil.

Las capacidades disponibles son 1 TB y 2 TB, sin variante de mayor tamaño por ahora, con una durabilidad declarada de 400 TBW (terabytes de escritura durante su vida útil) y 800 TBW, respectivamente, y garantía de tres años. Son cifras correctas para el segmento y Samsung es reconocida por la calidad de sus unidades y firmwares.

  9100 PRO 990 PRO 990 EVO Plus 990 990 EVO
Usuario objetivo Entusiastas y profesionales Gaming y creación de contenido Gama media-alta Gama general de alto rendimiento Gama general
Capacidad 1TB, 2TB, 4TB, 8TB 1TB, 2TB, 4TB 1TB, 2TB, 4TB 1TB, 2TB 1TB, 2TB, 4TB
Velocidad secuencial máx. (lectura/escritura) 14.800 / 13.400 MB/s 7.450 / 6.900 MB/s 7.250 / 6.300 MB/s 7.250 / 6.450 MB/s 5.000 / 4.200 MB/s
Velocidad aleatoria máx. (lectura/escritura) 2.200.000 / 2.600.000 IOPS 1.400.000 / 1.550.000 IOPS 1.050.000 / 1.400.000 IOPS 850.000 / 1.200.000 IOPS 700.000 / 800.000 IOPS
DRAM integrada No (HMB) No (HMB) No (HMB)
Interfaz PCIe 5.0 x4 / NVMe 2.0 PCIe 4.0 x4 / NVMe 2.0 PCIe 4.0 x4 / NVMe 2.0 PCIe 4.0 x4 / NVMe 2.0 PCIe 4.0 x4 / NVMe 2.0
Formato M.2 2280 M.2 2280 M.2 2280 M.2 2280 M.2 2280
Resistencia (TBW) 1TB: 600 TB, 2TB: 1.200 TB, 4TB: 2.400 TB, 8TB: 4.800 TB 1TB: 600 TB, 2TB: 1.200 TB,  4TB: 2.400 TB 1TB: 600 TB, 2TB: 1.200 TB, 4TB: 2.400 TB 1TB: 400 TB, 2TB: 800 TB 1TB: 600 TB, 2TB: 1.200 TB, 4TB: 2.400 TB
Tipo de memoria Flash Samsung V-NAND TLC (8.ª gen.) Samsung V-NAND TLC Samsung V-NAND TLC Samsung V-NAND TLC Samsung V-NAND TLC
Controlador Samsung propio Samsung Pascal Samsung propio Samsung propio Samsung Piccolo
Memoria caché DRAM LPDDR4X LPDDR4 HMB HMB HMB
Garantía 5 años 5 años 5 años 3 años 5 años

Software Samsung Magician

El Samsung Magician permite una gestión integral de sus unidades, que es, sin duda, la aplicación de gestión de unidades SSD más completa y estéticamente más elaborada que podemos encontrar en el mercado.

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Permite un diagnóstico integral de las unidades, pero también una gestión muy completa que va desde la clonación de unidades, encriptación completa de la unidad,  gestión de perfiles de rendimiento y muchas de estas opciones con posibilidad de ser muy detallados en el control. Por supuesto, entre todas sus opciones encontramos también la gestión y actualización de firmware de la unidad.

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Por ejemplo, podemos gestionar el volumen de datos en provisionamiento de esta unidad. Durante nuestras pruebas hemos detectado que la memoria reservada para caché en esta unidad, por defecto, son 64 GB. Cuando intentamos grabar más cantidad de datos, el rendimiento cae de forma radical; podéis ver esto en la siguiente captura con 200 GB en carga mixta. Tenemos una reduccion importante de rendimiento, sobre todo en carga mixta.

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Con el control de provisionamiento podemos ajustar esta cantidad de memoria, pero la perderemos en disponibilidad. Puede que no sea la solución más adecuada, y cierto es que nuestra exigencia de prueba es potente y poco habitual, pero los datos son los que son. Si ajustamos a 130 GB de provisionamiento, quedándonos con 800 GB de capacidad disponible, mirad el cambio:

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Rendimiento y consumo de energía

Es evidente que esta unidad no se sitúa en nuestra tabla entre las unidades más rápidas del mercado; las unidades PCI Express 5.0 ocupan esos primeros puestos. Sí es verdad que hemos encontrado el punto débil de su gestión de escritura mediante HBM cuando aumentamos la cifra de grabación continuada a una cifra elevada, de más de 64 GB. Este nivel de datos hace que la unidad sufra y decaiga, pero, poniéndolo en situación, no es un escenario con el que nos vayamos a encontrar habitualmente. Es una prueba extrema de carga mixta que hacemos a todas las unidades que pasan por nuestras manos.

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En este modelo de 1TB, tenemos un solo chip de memoria, en el extremo, y la controladora al otro, cerca del conector PCI Express. 

Las pruebas nos hablan de una unidad sólida, con el rendimiento esperado según los datos del fabricante, y situándose entre las mejores unidades que han pasado por nuestro laboratorio dentro de su segmento de producto.

Máquina de pruebas:

 

Temperatura en reposo, con disipador

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Temperatura en carga, con disipador

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Atto Lectura Secuencial

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Atto Escritura Secuencial

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AS-SSD Lectura secuencial

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AS-SSD Escritura secuencial

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Crystal DM Mixto R70/W30

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Crystal DM Lectura secuencial

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Crystal DM Escritura secuencial

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IOMeter QD32 Lectura (KIOPs)

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IOMeter QD32 Escritura (KIOPs)

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Anvil Storage Pro 1.0 lectura x10

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Anvil Storage Pro 1.0 Escritura x10

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3DMark Storage Benchmark

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PCMark 10 Drive Performance Consistency Test

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PCMark 10 Drive Performance Quick Test

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AJA Video System Test (128GB Video 4K) Lectura

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AJA Video System Test (128GB Video 4K) Escritura

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TxBench (Basic Test) Random Q1T1 4k Lectura

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TxBench (Basic Test) Random Q1T1 4k Escritura

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Una propuesta que busca el equilibrio

El Samsung SSD 990 no intenta ganar la guerra de las cifras máximas, y en eso es coherente con lo que el fabricante busca con este nuevo producto. Es una evolución de su gama 990, que es de las apreciadas por crítica y público y, sin duda, al menos en nuestras pruebas, hace honor al resto de las potentes unidades que Samsung ha lanzado hasta ahora dentro de esta familia PCI Express 4.0.

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Fin del Artículo. ¡Cuéntanos algo en los Comentarios!

LO MEJOR
Rendimiento sólido dentro de PCI Express 4.0
Consumo energético muy contenido, entre 3,7 W y 4,3 W
Configuración en una sola cara, muy compatible con todo tipo de sistemas
LO PEOR
Caché HMB en lugar de DRAM dedicada
TBW más ajustado que el resto de la familia
Máximo de capacidad de 2TB
Premio a Samsung SSD 990 1TB
  • Producto: Samsung SSD 990 1TB
  • Fecha: 04/07/2026 11:56:26
Redactor del Artículo: Javier Rodríguez

Javier Rodríguez

Empecé a publicar artículos sobre los componentes de PC que pasaban por mis manos en 1999, al tiempo que era director técnico de la cadena de tiendas de informática Batch-PC. Me uní a Geeknetic como redactor jefe y responsable de laboratorio en 2005. El hardware es mi pasión, aunque en mi tiempo libre acostumbro a disfrutar de juegos de PC multijugador.

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