Micron quiere duplicar la capacidad de las memorias flash NAND con su G11 de hasta 400 capas

La actual crisis de la memoria es la culpable de que veamos componentes esenciales para los PCs domésticos encarecidos hasta multiplicar su precio por 5. Un ejemplo son las tarjetas NVIDIA RTX 5090, que con 32 GB de VRAM llegan a cifras de hasta 10.000 euros. Pero los fabricantes de memoria siguen avanzando para surtir a la industria de la IA de más cantidad de este componente, pero cada vez más caro. Micron quiere ofrecer para el 2027 memorias NAND 3D de 400 capas con unión de oblea a oblea.

Micron prepara sus memorias NAND 3D G11 con hasta 400 capas

Esta es la memoria flasn NAND G11 del fabricante Micron, la primera flash NAND 3D de la compañía. Actualmente Micron cuenta con memorias de 200 capas con su actual generación G9, pero las limitaciones han hecho que la compañía haga frente y apueste por el apilamiento vertical para la próxima generación de memorias. Para poder duplicar la capacidad de las memorias NAND 3D, Micron ha decidido hacer un apilamiento de oblea sobre oblea, una tecnología que le permitirá ganar más densidad ocupando el mismo espacio.

Así funciona la unión de oblea a oblea para aumentar la densidad

Para utilizar esta tecnología, se emplean dos obleas con componentes diferentes para luego apilarlas en vertical. Una llevaría la celda de memoria, que permite ocupar todo el espacio, mientras que la otra oblea integraría la lógica necesaria para hacerla funcionar. Posteriormente se unen con unión híbrida, que se comunican entre si y se fijan para formar un solo chip de memoria.

Micron busca duplicar la densidad de sus NAND 3D en 2027

Micron pretende utilizar esta tecnología para la segunda mitad del 2027, y así construir memorias flash NAND 3D de hasta 400 capas, poniendo en auge esta tecnología de apilado 3D que ya lleva usando varios años YMTC con su Xtacking. Estas memorias serán capaces de duplicar la densidad actual, de 21 Gb/mm2 hasta los 42 Gb/mm2, y que también aumentará su velocidad hasta los 5.400 MT/s. Esta nueva tecnología también ofrecerá hasta un 25 % de ahorro energético por bit con esta próxima generación G11 de Micron.

Fin del Artículo. ¡Cuéntanos algo en los Comentarios!