Samsung tendrá listos los primeros chips de memoria eMRAM a finales de año

Samsung ha comenzado la producción en masa de chips de memoria MRAM y esperan lanzar las primeras unidades a finales de este mismo año.

La memoria MRAM viene a sustituir a la RAM convencional y a la memoria Flash, ofreciendo para ello sustanciales mejoras respecto a ambas. Empezando por su no volatilidad, al contrario que la RAM, con la MRAM no se pierden los datos almacenados cuando se desconecta la fuente de energía. El sistema utilizado se basa en una capa de fabricación entre medias de la RAM, lo que hace que su implementación sea sencilla y no tengan que partir desde cero para rehacer todo el diseño. Para almacenar la información, Samsung ha denominado al proceso Magnetic Tunnel Junction (MTJ), basándose en la lectura de dos materiales ferromagnéticos que se magnetizan al aplicar cierto voltaje y quedan magnetizados después de dejar de aplicar el voltaje, de ahí a que la memoria sea no volátil.

Los primeros chips eMRAM de Samsung serán de 1 Gb, algo bastante por debajo de lo que solemos ver hoy en día para la RAM, pero conforme pase el tiempo aumentarán de capacidad considerablemente. Las ventajas de la MRAM frente a la memoria flash -que es otro tipo de memoria no volátil- son una velocidad hasta 1000 veces superior, un consumo 1/400 respecto a las flash durante la escritura de datos y una durabilidad muy superior.

Estos chips de memoria eMRAM vendrán fabricados por Samsung, utilizando en un principio un nodo con tecnología FD-SOI a 28 nm, pero es de esperar que se puedan introducir prontamente en nodos más avanzados como FinFET. Las primeras unidades, dadas sus limitaciones de almacenamiento, irán enfocadas a sistemas Internet of Things e Inteligencia Artificial.

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