A partir de la segunda mitad de año veremos chips DRAM de SK Hynix fabricados bajo su proceso 1Y

Finalmente, SK Hynix comienza en breve a producir chips DRAM bajo procesos de segunda generación que vienen con mejoras en tamaño, eficiencia y especificaciones.

Tanto Samsung como Micron ya han iniciado una segunda fase en su tecnología actual para fabricar chips DRAM, incluso Samsung comenzó recientemente a producir chips bajo su tercera generación. Mientras tanto, SK Hynix seguía estancado en su primera generación, identificada con procesos 1X de fabricación (haciendo referencia a 1X nm). Esta segunda generación hace referencia a procesos 1Y y se estrena con chips DRAM de 8 Gb DDR4-3200. Según el fabricante, el paso de 1X a 1Y significa una disminución del 20% en el tamaño del die y una reducción de energía consumida del 15%.

Además de estas mejoras, que ya de serie son significativas y permitirán sustanciales mejoras, se incorporan tecnologías que SK Hynix planea continuar utilizando durante muchos años. Estas dos tecnologías son 4-Phase Clocking y Sense Amplifier Control. La primera de ellas se encarga de aumentar la intensidad de la señal a altas tasas de transferencia con el fin de mantener la estabilidad necesaria. La segunda promete reducir la probabilidad de que aparezcan errores al reducir el tamaño de los transistores. De esta manera, SK Hynix se plantea llevar estas tecnologías desde aquí hasta la fabricación de memorias DDR5, LPDDR5 y GDDR6, por lo que su testeo ahora resulta crucial.

El fabricante espera tener estos chips en el mercado en la segunda mitad de este año con las tecnologías mencionadas.

Fin del Artículo. ¡Cuéntanos algo en los Comentarios!