Samsung llega a la 6ª generación de memorias V-NAND para SSDs con 136 capas por die

por Pablo López 06/08/2019 ...

Samsung acaba de anunciar la sexta generación de sus memorias 3D V-NAND  para SSDs, ahora con 136 capas en vertical que maximizan la capacidad por chip.

Se trata del único diseño que actualmente cuenta con más de 100 capas por die, ya que la anterior generación consistía en 96 capas alineadas verticalmente. Esto supone alrededor de un 40% más de capas por die que la anterior generación 9X de Samsung. Con esto, la compañía mejora la producción en un 20% en chips de 256 Gb, donde ahora se requiere de 670 en lugar de 930 millones de huecos de canal para fabricar un solo chip.

Samsung ha comentado que las siguientes generaciones, que serán de más de 300 capas, simplemente montarán tres de estos dies (de 136 capas) uno sobre otro, por lo que se espera que no se siga incrementando la densidad de capas por die de memoria NAND, al menos por parte de Samsung. La 6ª Generación de memorias V-NAND SSD de Samsung viene también con mayor velocidad de transferencia de datos, 450 microsegundos para escritura  y por debajo de los 45 microsegundos para lectura.

El fabricante ha asegurado que para este mismo año estarán ofreciendo chips V-NAND TLC de 512 Gb, así que veremos SSDs con mayor capacidad antes de que acabe el año. Cabe recordar que Samsung no solo fabrica chips NAND, también está despuntando con chips para memorias de 12 GB LPDDR5 con el fin de sustentar la capacidad en smartphones. Por otra parte, veremos si la escasez de chips NAND implica el supuesto aumento de precios en los SSD durante los próximos meses.

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Redactor del Artículo: Pablo López

Pablo López

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