La 8ª Generación de Memorias 3D NAND de SK Hynix superará las 300 capas

La que será la octava generación de memorias 3D NAND de SK Hynix dará un importante salto en la configuración de este tipo de memorias de apilamiento vertical al conseguir nada más y nada menos que 300 capas. La cifra todavía no está confirmada, pero la compañía apunta a una cifra final que superará ese número.

Este logro supone un salto desde las 238 capas que tenía la anterior versión, y permitirá, según los datos de la compañía, conseguir importantes aumentos de rendimiento y de reducción de costes, al poderse conseguir más almacenamiento por chip y superficie.

Los primeros chips de octava generación de memorias 3D NAND de Hynix doblarán su densidad y alcanzarán 1 Tb (1 Terabit equivale a 128 GB) de capacidad por chip en una distribución de triple celda (TLC), cada chip promete un rendimiento de 194 MB/s (la pasada generación se quedaba en 164 GB/s( y 2,4 Gbps de entrada/salida. 

De esta manera, combinando el mismo número de chips que en pasadas generaciones, tendremos más rendimiento y capacidad, al mismo tiempo que el coste por TB debería reducirse al conseguirse mucha más capacidad por cada oblea fabricada.

Su llegada al mercado e integración en los primeros productos como SSD y memorias internas para almacenamiento está previsto para finales del año 2024 y principios del 2025.

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