CXMT investiga una DRAM de alta densidad basada en unión híbrida entre obleas y sin necesidad de litografía EUV

La china CXMT estaría trabajando en una nueva generación de memoria DRAM de alta densidad apoyada en técnicas de unión híbrida entre obleas, una vía que le permitiría avanzar en capacidad, consumo y rendimiento sin depender de equipos EUV. La información procede de Korea Economic Daily y, por ahora, sitúa el proyecto en fase de I+D, con pruebas en una línea piloto en Hefei.

Según ese informe, CXMT estaría desarrollando lo que se describe como bonding DRAM, una aproximación que sustituye los microbumps tradicionales por un sistema de unión híbrida wafer-to-wafer o W2W. En lugar de conectar chips de memoria mediante esas interconexiones convencionales, el proceso alinea y fusiona dos obleas completas con mayor precisión. Sobre el papel, eso permite reducir espacio ocupado, latencia y resistencias parásitas, además de mejorar la eficiencia eléctrica del conjunto.

Otro de los elementos clave de esta arquitectura estaría en la separación entre la matriz de celdas de memoria y la lógica periférica de control. Ambas quedarían ubicadas en obleas distintas y fabricadas con procesos diferentes, de forma que cada parte pueda optimizarse por separado antes de unirse. Es un planteamiento relevante porque abre la puerta a diseños más flexibles, sin exigir que toda la estructura de la memoria se fabrique bajo un único nodo o una sola condición de proceso.

Más densidad sin crecer en superficie

La gran ventaja de este enfoque estaría en la posibilidad de aumentar la densidad sin ampliar la huella horizontal del chip. Al eliminar parte de las interconexiones tradicionales y acortar recorridos internos, esta clase de DRAM podría ofrecer más velocidad y menor consumo dentro del mismo espacio físico. En la práctica, eso interesa especialmente en dispositivos compactos y en sistemas donde cada milímetro de placa cuenta, aunque el informe no habla todavía de un producto comercial concreto ni de fechas cercanas de producción.

También hay que recordar que las restricciones impuestas a China en equipamiento avanzado han limitado el acceso a maquinaria EUV, por lo que cualquier salto en memoria que pueda apoyarse en herramientas DUV ya disponibles gana peso estratégico. Precisamente ahí estaría una de las bazas de CXMT, a saber, en intentar acortar distancias con fabricantes como Samsung y SK hynix mediante cambios de arquitectura y empaquetado, no solo a través de litografía más avanzada.

El mismo informe menciona que China acumula 119 patentes relacionadas con este terreno y sugiere que esa base tecnológica podría ayudar a cerrar parte de la brecha en un plazo de tres a cinco años. Aun así, conviene tomar esa previsión con cautela. CXMT estaría todavía en una fase temprana de investigación y quedan muchas variables abiertas, desde la escalabilidad industrial hasta el rendimiento real, el coste y la calidad final del producto.

Si esta línea prospera, CXMT ganaría una vía propia para elevar densidad y eficiencia sin esperar a una normalización del acceso a EUV. Por ahora, sin embargo, el proyecto sigue siendo una iniciativa en desarrollo y no una tecnología lista para producción masiva a corto plazo.

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