Samsung aumenta la capacidad de sus celdas 3D V-NAND en los nuevos SSD 850 EVO

por Antonio Delgado 09/12/2014 1

Samsung introdujo sus memorias 3D V-NAND en los SSD 850 Proconsiguiendo mejoras en el rendimiento, durabilidad y capacidad por chip de sus discos de estado sólido al apilar los chips de memoria de manera vertical. Apenas han pasado 5 meses y la compañía ha decidido dar un paso adelante mejorando esta tecnología en los nuevos SSD 850 EVO.

La principal novedad respecto a los los 850 Pro actuales es el paso de memorias MLC 3D V-NAND de 2 bits a TLC 3D V-NAND de 3 bits. Gracias al aumento de capacidad en las celdas de memoria, Samsung ha conseguido una densidad por chip mayor, reduciendo costes y manteniendo el rendimiento.

Llegarán en capacidades de 120, 250 y 500 GB, además de un modelo con 1 TB. Sus precios van desde los 100 Dólares del modelo más pequeño hasta los 500 Dólares del modelo de 1 TB y cuentan con 5 años de garantía.. Todos ellos hacen uso de una controladora MGX con dos núcleos, salvo el modelo más grande que utiliza el modelo MEX con 3 núcleos ARM.

Samsung aumenta la capacidad de sus celdas 3D V-NAND en los nuevos SSD 850 EVO, Imagen 1

Las velocidades alcanzadas son de 540 MB/s de lectura y de 520 MB/s de escritura secuencial. En cuanto al acceso aleatorio, tenemos un máximo de 98.000 IOPS de lectura y 90.000 IOPS de escritura en los modelos de 500 y 1 TB. Esta cifra se reduce ligeramente conforme bajamos en capacidad.

Inicialmente estarán disponibles en formato SATA de 2,5", pero también llegarán con formatos más pequeños como el conocido mSATA y el más reciente M.2. Podremos verlos en el CES de las Vegas en enero del 2015, por lo