Samsung aumenta la capacidad de sus celdas 3D V-NAND en los nuevos SSD 850 EVO

por Antonio Delgado 09/12/2014 1

Samsung introdujo sus memorias 3D V-NAND en los SSD 850 Proconsiguiendo mejoras en el rendimiento, durabilidad y capacidad por chip de sus discos de estado sólido al apilar los chips de memoria de manera vertical. Apenas han pasado 5 meses y la compañía ha decidido dar un paso adelante mejorando esta tecnología en los nuevos SSD 850 EVO.

La principal novedad respecto a los los 850 Pro actuales es el paso de memorias MLC 3D V-NAND de 2 bits a TLC 3D V-NAND de 3 bits. Gracias al aumento de capacidad en las celdas de memoria, Samsung ha conseguido una densidad por chip mayor, reduciendo costes y manteniendo el rendimiento.

Llegarán en capacidades de 120, 250 y 500 GB, además de un modelo con 1 TB. Sus precios van desde los 100 Dólares del modelo más pequeño hasta los 500 Dólares del modelo de 1 TB y cuentan con 5 años de garantía.. Todos ellos hacen uso de una controladora MGX con dos núcleos, salvo el modelo más grande que utiliza el modelo MEX con 3 núcleos ARM.

Samsung aumenta la capacidad de sus celdas 3D V-NAND en los nuevos SSD 850 EVO, Imagen 1

Las velocidades alcanzadas son de 540 MB/s de lectura y de 520 MB/s de escritura secuencial. En cuanto al acceso aleatorio, tenemos un máximo de 98.000 IOPS de lectura y 90.000 IOPS de escritura en los modelos de 500 y 1 TB. Esta cifra se reduce ligeramente conforme bajamos en capacidad.

Inicialmente estarán disponibles en formato SATA de 2,5", pero también llegarán con formatos más pequeños como el conocido mSATA y el más reciente M.2. Podremos verlos en el CES de las Vegas en enero del 2015, por lo

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Redactor del Artículo: Antonio Delgado

Antonio Delgado

Ingeniero Informático de formación, redactor y analista de hardware en Geeknetic desde 2011. Me encanta destripar todo lo que pasa por mis manos, especialmente lo más novedoso en hardware que recibimos aquí para hacer reviews. En mi tiempo libre trasteo con impresoras 3d, drones y otros cachivaches. Para cualquier cosa aquí me tienes.

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