SAMSUNG fabrica los primeros módulos de memoria NAND Flash 4 Gigabit con tecnología de 70-nanómetros

por LoKuS 01/06/2005 ...

La compañía coreana Samsung Electronics Corp. Ltd., acaba de anunciar el comienzo de producción masiva de su quinta generación de memorias NAND flash de 4Gigabits, con tecnología de fabricación de 70 nanómetros (nm).

Esta nueva tecnología de fabricación de memorias de 70nm, ha sido posible gracias a un proceso litográfico con fluoruro de argón, que permite la integración de cada celdilla de memoria (bit) en tan solo 0,025µm2 , siendo las más pequeñas en la actualidad.

El nuevo nivel de integración de 70nm, permitirá una tasa de transferencia de 16 Mbytes/seg., siendo esta velocidad un 50% más rápida que la de los actuales módulos de 2 Gigabits con tecnología de 90nm.

Esto permitirá entre otras muchas cosas la grabación de datos en tiempo real en dispositivos que necesiten grandes tasas de transferencia, como las cámaras de video de alta definición. También ofrecerá mayor densidad de almacenamiento para dispositivos de consumo, como cámaras digitales y teléfonos móviles, a un precio más razonable.