Infineon y Nanya preparados para fabricar memoria DRAM con tecnología de 90nm

por LoKuS 02/06/2005 ...

Las compañías Infineon Technologies AG y Nanya Technologies Corp., han obtenido la certificación por parte de Intel para iniciar la fabricación de memoria DRAM con tecnología de integración de 90 nanómetros (nm). Esta tecnología de reciente desarrollo ha sido posible gracias a un trabajo conjunto de ambas empresas, en el centro de investigación que Infineon posee en Dresden (Alemania). El acuerdo entre ambas compañías incluye también la futura fabricación de memoria DRAM con tecnología de 70nm.

Actualmente, Infineon tiene ya reconvertidas el 5% de sus líneas de fabricación de 110nm a 90nm en su planta de Dresden, y la reconversión de las fábricas de Inotera Memories (El fabricante en Taiwan para Infineon y Nanya) ha comenzado.

Infineon y Nanya preparados para fabricar memoria DRAM con tecnología de 90nm, Imagen 1

Esta nueva tecnología de integración a tan solo 90nm, permite un menor tamaño de los chips, así como un menor coste de producción, debido a que se obtienen un 30% mas chips de cada woofer (oblea de silicio), que actualmente son de 300mm.

La transición de ambas empresas a esta nueva tecnología es imprescindible para posibilitar la fabricación de las nuevas memorias de alta velocidad y bajo consumo DDR2 y las futuras DDR3.

Los primeros componentes en fabricarse con esta tecnología serán módulos de 512Mb DDR SDRAM, y a partir de Julio, módulos de 512Mb DDR2 SDRAM. A estos les seguirán módulos de 256Mb y de 1Gb, ambos DDR2 SDRAM.