Micron acaba de anunciar que ya están produciendo módulos de memoria de 16 GB DRAM DDR4 con un proceso de litografía 1z nm.
El nuevo proceso de fabricación dará mayor densidad por módulo, así como permitirá una mayor eficiencia energética, lo que se traduce en menor consumo.
Micron afirma de tal manera que su nuevo producto ofrece una densidad de bits sustancialmente más alta, así como mejoras significativas de rendimiento y menor costo en comparación con el nodo de 1Y nm de la generación anterior.
Los nuevos módulos de memoria servirán a varios dispositivos ya que llegarán en factores de forma como DRAM DDR4 para ordenadores, LPDDR4 (DRAM para dispositivos móviles), o GDDR6, la memoria utilizada en las tarjetas gráficas.
El proceso de fabricación en litografía más pequeña (1z) permite hasta un 40% de reducción en el consumo de energía respecto a los anteriores módulos DDR4 de 8 GB, por ejemplo.
Cabe recordar que el proceso de fabricación 1z nm corresponde a litografías comprendidas entre los 10 y 13 nanómetros, a menudo los fabricantes nos muestran sus productos etiquetados como “10 nm class”, pero eso no significa ni muchos menos que su litografía sea de 10 nanómetros.
1x nm comprende desde 10 nm a 20 nm, pero realmente su litografía es de 16 nm a 19 nm, mientras que el siguiente salto en generación, 1y nm, abarca desde 14 nm hasta 16 nm, hasta la generación que nos ocupa, 1z nm, que es inferior a los 14 nanómetros.
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