Samsung ya fabrica en serie sus chips de memoria eUFS 3.1 de 512 GB a 2,1 GB/s

Samsung ya fabrica en serie sus chips de memoria eUFS 3.1 de 512 GB a 2,1 GB/s

por Antonio Delgado 17/03/2020 ...

Samsung ha anunciado en su sala de prensa virtual el inicio de la producción en serie de sus primeros chips de memoria eUFS 3.1 de 512 GB de almacenamiento destinados a smartphones de gama alta. Estos nuevos chips mejoran a los anteriores chips eUFS 3.0 de la misma capacidad en que pueden superar 1GB/s de velocidad de escritura, dotando a terminales de nueva generación de unas velocidades de almacenamiento más propias de equipos de sobremesa.

Hablamos de 1.200 MB/s de velocidad de escritura secuencial y de 2.100 MB/s de velocidad de lectura secuencial. Si bien esa velocidad de lectura es la misma que sus módulos de 512 GB eUFS 3.0, la escritura secuencial pasa de 410 MB/s a los mencionados 1.200 MB/s, el triple de velocidad.

En cuanto a acceso aleatorio, llegamos pro primera vez a 100.000 IOPS de lectura aleatoria y 70.000 IOPS de escritura del mismo tipo, un salto importante desde los 63.000 IOPS / 68.000 IOPS de la pasada generación.

Además de estos modelos, también habrá chips uFS 3.1 de 128 GB y 256 GB de capacidad para las variantes de menor capacidad de los terminales de gama alta y premium que lleguen a lo largo de este año 2020 .

Producto Lectura Secuencial Escritura Secuencial Lectura Aleatoria Escriturea Aleatoria

512GB eUFS 3.1

(Marzo 2020)

2100MB/s

1200MB/s

100,000 IOPS

70,000 IOPS

512GB eUFS 3.0

(Feb. 2019)

2100MB/s 410MB/s 63,000 IOPS 68,000 IOPS

1TB eUFS 2.1

(Ene. 2019)

1000MB/s 260MB/s 58,000 IOPS 50,000 IOPS

512GB eUFS 2.1

(Nov. 2017)

860MB/s 255MB/s 42,000 IOPS 40,000 IOPS

Automotive UFS 2.1

(Sept. 2017)

850MB/s 150MB/s 45,000 IOPS 32,000 IOPS

256GB UFS Card

(Julio 2016)

530MB/s 170MB/s 40,000 IOPS 35,000 IOPS

256GB eUFS 2.0

(Feb. 2016)

850MB/s 260MB/s 45,000 IOPS 40,000 IOPS

128GB eUFS 2.0

(Ene. 2015)

350MB/s 150MB/s 19,000 IOPS 14,000 IOPS
eMMC 5.1 250MB/s 125MB/s 11,000 IOPS 13,000 IOPS
eMMC 5.0 250MB/s  90MB/s  7,000 IOPS 13,000 IOPS
eMMC 4.5 140MB/s  50MB/s  7,000 IOPS  2,000 IOPS

Fin del Artículo. ¡Cuéntanos algo en los Comentarios o ven a nuestro Foro!

Redactor del Artículo: Antonio Delgado

Antonio Delgado

Ingeniero Informático de formación, redactor y analista de hardware en Geeknetic desde 2011. Me encanta destripar todo lo que pasa por mis manos, especialmente lo más novedoso en hardware que recibimos aquí para hacer reviews. En mi tiempo libre trasteo con impresoras 3d, drones y otros cachivaches. Para cualquier cosa aquí me tienes.

Comentarios y opiniones sobre: Samsung ya fabrica en serie sus chips de memoria eUFS 3.1 de 512 GB a 2,1 GB/s ¿Qué opinas? ¿Alguna pregunta?