eUFS 3.1

El Samsung Galaxy Note 20 contará con las nuevas memorias Samsung eUFS 3.1

Hoy mismo hablábamos de que Samsung ha anunciado el inicio de la producción en masa de sus nuevas memorias eUFS 3.1, unas memorias con capacidad de 512GB capaces de alcanzar velocidades de hasta 2100MB/s en lectura y 1200MB/s en...

Samsung ya fabrica en serie sus chips de memoria eUFS 3.1 de 512 GB a 2,1 GB/s

Samsung ha anunciado en su sala de prensa virtual el inicio de la producción en serie de sus primeros chips de memoria eUFS 3.1 de 512 GB de almacenamiento destinados a smartphones de gama alta. Estos nuevos chips mejoran a los...