SK Hynix consigue 512 Gb por chip y 176 capas con su última tecnología 4D NAND flash

SK Hynix ha desarrollado su tercera versión de la tecnología 4D en la fabricación NAND flash, aumentando su rendimiento y reduciendo su consumo al mismo tiempo.

Hace apenas dos meses fuimos testigos de la compra que realizó SK Hynix. Compró a Intel toda su división de memorias NAND y SSDs, con las instalaciones, empleados y la tecnología incluidos. Esto elevó a SK Hynix al segundo puesto a nivel mundial en la fabricación de chips NAND. Ahora ha anunciado la tercera generación de su tecnología 4D NAND flash en la que se realizan importantes cambios y se alcanza la cifra de 176 capas apiladas en la fabricación de memorias NAND.

La carga eléctrica queda atrapada ahora en el aislante amarillo, resultando en menor interferencias entre celdas

Las consecuencias directas se traducen en una productividad un 35% superior, velocidad de lectura de celdas un 20% mayor y transmisión de datos un 33% más rápida. Cabe destacar el hecho de que la anterior generación de SK Hynix tan solo conseguía apilar 96 capas, por lo que el salto es realmente enorme.

SK Hynix presume de 176 capas en su tercera generación de la tecnología 4D NAND flash

Ahora, gracias a las 176 capas apiladas en 4D NAND flash, los chips cuentan con 512 Gb de almacenamiento, mientras Samsung planea incorporar su séptima generación para alcanzar las 160 capas.

Se trasladan los circuitos de la periferia a la base de la celda para ocupar un menor área

SK Hynix ha anunciado también que entre sus planes está el duplicar la densidad de esos chips para que cada uno cuente con 1 Tb de almacenamiento, algo que llevará sin lugar a dudas a SSDs con capacidades superiores a las actuales.

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