Samsung, uno de los principales fabricantes de chips de memoria, ha anunciado el inicio de la producción a gran escala de sus chips de memoria RAM DDR5 a 12 nanómetros. En concreto se trata de chips con 16 Gigabits (Gb) de capacidad que se utilizarán en los módulos más avanzados de Samsung y otros clientes.
La compañía coreana promete un descenso del 23% en el consumo energético, al mismo tiempo que se amplía el rendimiento en un 20% respecto a generaciones anteriores de estos chips. Serán capaces de alcanzar hasta 7,2 Gigabits por segundo (Gbps). Su uso es diverso y se integrarán en módulos para centros de datos, sistemas de Inteligencia Artificial o PCs de nueva generación.
Antes de iniciar este proceso de fabricación en masa, Samsung ya había colaborado con sus clientes para probar estos chips y su compatibilidad, de hecho, a finales del año pasado ya pudieron certificar la compatibilidad de estos chips en módulos de RAM acompañados de procesadores de AMD.
Aunque 12 nanómetros puedan parecer cifras elevadas si se comparan con las cifras que se manejan en SoCs como procesadores o GPUs, en memorias DRAM, por su diseño y funcionamiento, es uno de los nodos más avanzados del momento. Este inicio de la producción en masa de sus módulos de DDR5 a 12 nanómetros cumple con las promesas que Samsung realizó en diciembre del pasado 2022.
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