Kioxia ya está enviando sus primeras memorias UFS 4.1 con hasta un 45% más de rendimiento

Al igual que las memorias de almacenamiento flash UFS 3.0 tuvieron su evolución UFS 3.1, las actuales UFS 4.0 pronto tendrán una sucesora en forma de memorias UFS 4.1.

Una de las primeras compañías que producirá en masa este tipo de memorias será Kioxia, antiguamente conocidos como Toshiba Memory. Hoy mismo han anunciado que ya han comenzado los envíos de las primeras muestras funcionales de sus chips de memoria UFS 4.1 para integrar en dispositivos de todo tipo como pueden ser smartphones.

Estas memorias UFS 4.1 de Kioxia utilizan celdas de memoria BiCS Flash 3D de octava generación, una tecnología de la propia compañía, integradas en un empaquetado que sigue las líneas del estándar de la JEDEC con su propio controlador de memoria. Además, los modelos de 1 TB ven reducido su tamaño respecto de la generación anterior 4.0.Las memorias UFS 4.1 de Kioxia mejoran el rendimiento en hasta un 45%

Los chips enviados incluyen modelos con capacidades de 1 TB, 512 GB y 256 GB para todo tipo de dispositivos. Kioxia promete una mejora en las lecturas aleatorias de hasta el 45% en el modelo de 512 GB y del 35% en el modelo de 1 TB. En el caso de escritura aleatoria, la mejora es de un 30% de más velocidad en esas dos capacidades.

Las mejoras en lecturas y escrituras secuenciales para los modelos de 412 GB y de 1 TB son de entorno al 15 y el 20% de lectura/escritura respectivamente.

Dado que los clientes de Kioxia están ya recibiendo los primeros samples para desarrollar nuevos productos, es de esperar que estos chips de memoria UFS 4.1 comiencen a integrarse en smartphones de gama alta en los próximos meses.

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