La ventaja tecnológica de Corea frente a China en chips de memoria se reduce a 3 años en HBM y a solo 1 año en NAND

El ritmo de desarrollo de la industria china de semiconductores es rápido, muy rápido. Tanto es así que amenaza con pulverizar el liderazgo histórico de los fabricantes surcoreanos en el mercado del almacenamiento digital. Tras consolidar tasas de rendimiento del 90% en DDR5 y proyectar un volumen que igualará la producción mensual de Micron, la Asociación de la Industria de Semiconductores de Corea ha lanzado una advertencia que no deja a nadie indiferente.

Simplificando mucho la cuestión, y siempre según el organismo, la brecha tecnológica de Corea del Sur se ha reducido a tres años en HBM, dos años en DRAM convencional y apenas un año en memorias flash NAND. China aprieta y se acerca cada vez más a Corea del Sur.

Esto supone un recorte de distancias considerable, que pocos ejercicios atrás se situaba en 5 años o más. CXMT, sin ir más lejos, ya realiza pruebas de su memoria de quinta generación HBM3E junto a firmas de diseño locales como T-Head, filial del consorcio Alibaba. Además, hay planes para integrar estos módulos en equipos comerciales durante el próximo año. Los diseñadores chinos se colocan a un solo escalón de la memoria HBM4 que lideran compañías consolidadas como Samsung y SK hynix.

Una evolución imparable a pesar de las restricciones de Estados Unidos

La rápida evolución china todavía es más llamativa si tenemos en cuenta las restricciones impuestas por Estados Unidos al comercio de maquinaria litográfica puntera. Es decir, China sigue sin acceso a los escáneres ultravioleta extrema o EUV de ASML que le permitirían imprimir circuitos microscópicos.

Por eso, los fabricantes chinos han trasladado su esfuerzo hacia la arquitectura de integración posterior. Por ejemplo, el enlace directo de obleas mediante la técnica X-Stacking de YMTC permite acortar las pistas físicas y maximizar el ancho de banda sin recurrir a equipos de litografía de última generación.

Y, en lo que a producción masiva de módulos tridimensionales se refiere, lo que hace CXMT es coordinar su operativa con socios nacionales. Al mismo tiempo, proyectos como el plegado lógico de Huawei buscan alcanzar densidades equivalentes a nodos de 1,4 nanómetros mediante arquitecturas alternativas sin maquinaria ultravioleta.

Estas imaginativas soluciones de las empresas chinas permiten comprimir hasta tres años de investigación en doce meses de trabajo intensivo, según constatan analistas académicos de la Universidad de Hanyang.

La crisis de componentes es una oportunidad para CXMT

Otro punto que menciona la fuente consultada y que no podemos dejar a un lado es que Samsung y SK hynix están centrados en los chips para centros de datos de IA. Curiosamente, esa transferencia de recursos ha allanado el camino comercial a sus competidores.

El encarecimiento del 98% en la memoria DDR5 estándar durante el primer trimestre por falta de existencias mundiales permitió a las firmas chinas conseguir contratos bien jugosos. Incluso Apple ha picado a la puerta de CXMT. De hecho, este fabricante alcanzó una cuota del 10% en el mercado mundial de DRAM en el segundo trimestre, mientras YMTC incrementó su peso en almacenamiento NAND hasta el 14% global.

Eso también se nota en las cuentas de ambas empresas. En el primer semestre, CXMT disparó sus ingresos un 873,6% interanual hasta los 22.400 millones de dólares, generando un beneficio neto de 77.600 millones de yuanes y un margen operativo del 82% que supera al negocio de chips de Samsung.

Aunque por el momento los resultados no son del todo positivos, el 64% de la facturación procedente del mercado exterior financia la I+D de HBM. Esto es un ciclo de reinversión que debería preocupar mucho a sus competidores coreanos.

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