GlobalFoundries anuncia su proceso de fabricación FinFET de 7 nanómetros

por Antonio Delgado 16/09/2016 3

En su día, GlobalFoundries ya anunció que se saltaría el proceso de fabricación de 10 nanómetros para dar el salto directo a los 7 nanómetros alegando que las mejoras de pasar de 14/16nm a 10 nm eran marginales en comparación con el desembolso que había que realizar, y hoy han anunciado oficialmente su proceso de fabricación FinFET de 7nm

Esta tecnología de fabricación combinará el estándar FinFET con litografía óptica y litografía ultravioleta extrema en ciertos niveles críticos, con todo ello, la compañía espera ofrecer el doble de densidad de transistores y un 30% de mejora en rendimiento en comparación con la tecnología de 14 y 16 nanómetros que se maneja en la actualidad. 

GlobalFoundries anuncia su proceso de fabricación FinFET de 7 nanómetros, Imagen 1

Los primeros chips de prueba están ya en producción en la fábrica número 8 de la compañía, y esperan poder lanzar la producción de diseños a sus clientes a mediados de 2017, para empezar la producción inicial de riesgos a principios del 2018. Compañías como AMD seguirán confiando en Globalfoundries para la fabricación de gran parte de sus chips.

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Redactor del Artículo: Antonio Delgado

Antonio Delgado

Ingeniero Informático de formación, redactor y analista de hardware en Geeknetic desde 2011. Me encanta destripar todo lo que pasa por mis manos, especialmente lo más novedoso en hardware que recibimos aquí para hacer reviews. En mi tiempo libre trasteo con impresoras 3d, drones y otros cachivaches. Para cualquier cosa aquí me tienes.

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