GlobalFoundries anuncia su proceso de fabricación FinFET de 7 nanómetros

por Antonio Delgado 16/09/2016 3

En su día, GlobalFoundries ya anunció que se saltaría el proceso de fabricación de 10 nanómetros para dar el salto directo a los 7 nanómetros alegando que las mejoras de pasar de 14/16nm a 10 nm eran marginales en comparación con el desembolso que había que realizar, y hoy han anunciado oficialmente su proceso de fabricación FinFET de 7nm

Esta tecnología de fabricación combinará el estándar FinFET con litografía óptica y litografía ultravioleta extrema en ciertos niveles críticos, con todo ello, la compañía espera ofrecer el doble de densidad de transistores y un 30% de mejora en rendimiento en comparación con la tecnología de 14 y 16 nanómetros que se maneja en la actualidad. 

GlobalFoundries anuncia su proceso de fabricación FinFET de 7 nanómetros, Imagen 1

Los primeros chips de prueba están ya en producción en la fábrica número 8 de la compañía, y esperan poder lanzar la producción de diseños a sus clientes a mediados de 2017, para empezar la producción inicial de riesgos a principios del 2018. Compañías como AMD seguirán confiando en Globalfoundries para la fabricación de gran parte de sus chips.