Samsung comienza la fabricación de obleas bajo un proceso EUV en su nodo de 7nm 7LPP

por Pablo López 19/10/2018 ...

Samsung ha anunciado el comienzo de la producción de obleas bajo el proceso EUV y nodo 7LPP, aunando esfuerzos para conseguir llegar a los 3 nm mediante EUV  para el año 2020.

Samsung ya está fabricando obleas bajo el denominado proceso 7LPP (Low Power Plus) en un nodo de 7 nm. Dejando atrás el proceso de fabricación FinFET que tanto éxito le ha dado, la compañía necesita de un nuevo proceso para continuar progresando en pro de conseguir nodos a menos nanómetros. Samsung ya mantiene una línea de producción a 7 nm mediante FinFET, y ahora va a complementarla con la fabricación a 7 nm mediante EUV (Extreme Ultra Violet).

En comparación, un proceso basado en EUV utiliza longitudes de onda de 13.5 nm, mientras que un proceso estándar se limita a utilizar longitudes de onda de 193 nm, además de que estos últimos requieren mayores máscaras para la producción de las obleas. Esta reducción crítica de longitud de onda permite, comparada con un proceso FinFET a 10 nm, mejorar un 20% el rendimiento o bien reducir un 50% el consumo. Además de estas ventajas, el proceso EUV en un nodo de 7 nm LPP implica mejorar el aislamiento de los conductores, al mismo tiempo que cuenta con numerosas capas de fabricación menos, es decir, un aumento del 40% en eficiencia por unidad de área.

Este nuevo proceso EUV bajo el nodo de 7 nm 7LPP ha comenzado en la fábrica S3 de Samsung, en Hwaseong, Korea. Esperan poder ofrecer una fabricación en masa a nivel mundial para el año 2020.

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