Samsung prepara nuevas unidades SSD PCIe 4.0 y 5.0 con memorias V-NAND de 176 capas

Samsung prepara nuevas unidades SSD PCIe 4.0 y 5.0 con memorias V-NAND de 176 capas

por Juan Antonio Soto ...

Samsung sigue avanzando en la creación y fabricación de nuevas memorias V-NAND 3D. Desde que en 2013 se introdujeran las primeras unidades V-NAND de 24 capas mucho antes que la competencia que seguía construyendo en 2D, Samsung sigue investigando la forma de apilar capas, pero de manera más eficiente.

Al igual que Micron, Samsung ya tiene lista la producción en masa de sus memorias V-NAND de 176 capas, en las que ha conseguido reducir su tamaño en un 35% cada celda para disminuir la superficie y la altura en comparación con la generación anterior. Gracias a la velocidad que ofrecen estas V-NAND 3D de séptima generación de 2000 MT / s, Samsung podrá lanzar unidades de disco SSD con interfaz PCIe 4.0 y 5.0 mucho más rápidas, para ello utilizará un nuevo controlador optimizado para múltiples tareas y grandes cargas de trabajo.

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También tiene muestras de la próxima generación de memorias V-NAND con más de 200 capas y que comenzará su fabricación según la demanda del mercado, así que posiblemente podamos ver esta nueva generación pasados 12 meses. También nos adelantan que pronto podrán construir estas memorias con más de 1000 capas, un desafío para la empresa después de 10 años de investigación y fabricación de memorias con apilado en 3D.

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Redactor del Artículo: Juan Antonio Soto

Juan Antonio Soto

Soy Ingeniero Informático y mi especialidad es la automatización y la robótica. Mi pasión por el hardware comenzó a los 14 años cuando destripé mi primer ordenador: un 386 DX 40 con 4MB de RAM y 210MB de disco duro. Sigo dando rienda suelta a mi pasión en los artículos técnicos que redacto en Geeknetic. Dedico la mayor parte de mi tiempo libre a los videojuegos, contemporáneos y retro, en las más de 20 consolas que tengo, además del PC.

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