Micron envía muestras de memoria DRAM LPDDR5x de hasta 8,5 Gbps fabricada con su nodo 1 beta

El fabricante de memorias Micron ha enviado las muestras DRAM para prueba de su nodo más avanzado llamado 1 beta y ha conseguido prepararlo para su producción en masa. Esta próxima generación dará paso a una memoria más rápida LPDDR5x con una velocidad máxima de 8,5 Gb/s, igual que las de Samsung. Gracias a este nuevo nodo de fabricación se consiguen memorias con un mayor rendimiento a la vez que se reduce el consumo y aumentan su densidad de bits.

Con este nodo se consigue una eficiencia energética superior de hasta un 15% y mayor densidad de bits de hasta el 35% para una capacidad de 16 Gb por cada chip. Esta nueva memoria LPDDR5x será aprovechada por los teléfonos móviles de gama alta que podrán obtener estos beneficios con mayor ancho de banda y rapidez que demandan las aplicaciones de hoy en día. También permitirá la gestión de imágenes de mayor resolución acordes a los sensores de última generación presentados con mayor calidad de hasta 200 MP.

Todo esto unido a un bajo consumo energético que es ideal en dispositivos con baterías como los teléfonos móviles. Estos se beneficiarán de tecnologías como voltaje dinámico mejorado y frecuencias de hasta 3.200 Mb por segundo, en un factor de forma más pequeño que permitirá añadir más memoria en menos espacio.

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