Con la creciente demanda de memorias DDR5, esta más moderna memoria DRAM se impondrá poco a poco a la actual dominante DDR4. Para esto los fabricantes siguen innovando para conseguir mejores velocidades y latencias en los módulos más modernos. Samsung ha anunciado sus chips de memoria DRAM DDR5 con capacidad de 32 Gb (Gigabits), que están fabricadas con un proceso de 12 nanómetros. Esta nueva memoria viene después de su producción en masa del modelo con 16 Gb hace tan solo 3 meses.
Esta nueva capacidad ofrecerá módulos de memoria DDR5 de hasta 1 TB de capacidad, una capacidad ideal para servidores en centros de datos que necesiten mover gran cantidad de información, como los dedicados a BIG DATA. Con este chip fabricado a 12 nanómetros, se ha conseguido mejorar la eficiencia y la densidad en un solo chip, duplicando la capacidad conservando el mismo tamaño. Se ha conseguido reducir el consumo energético con estos chips en hasta un 10% en los módulos de 128 GB que ahora se podrán fabricar sin el proceso TSV (Through Silicon Via).
Samsung espera comenzar la producción en masa de estos nuevos chips DDR5 a 12 nanómetros para finales de este año, y comenzar a distribuir en el 2024.
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