Kioxia inicia el envío de muestras de su BiCS FLASH de décima generación y se suma a la carrera por una NAND más rápida y eficiente para IA

Kioxia ha anunciado el inicio de los envíos de muestras de su memoria BiCS FLASH de décima generación en una versión de 1 Tb y tipo TLC, una tecnología con la que quiere reforzar su oferta para SSD empresariales y de centros de datos en un momento de fuerte presión por parte de las cargas ligadas a inteligencia artificial. La compañía sitúa este desarrollo como una respuesta a la necesidad de combinar más capacidad, mayor rendimiento y menor consumo en infraestructuras donde el almacenamiento ya es una pieza crítica del coste operativo.

Según ha detallado Kioxia, esta nueva generación alcanza una velocidad de interfaz NAND de 4,8 Gb/s, lo que representa una mejora del 33 % frente a su octava generación. La densidad de bits también sube un 59 % gracias al apilado de 332 capas y a mejoras en densidad lateral. A eso se suman avances en eficiencia energética, con una mejora del 18 % en escritura y del 30 % en lectura, dos cifras que la empresa presenta como especialmente relevantes para reducir el consumo dentro de entornos empresariales y data centers.

La base técnica vuelve a estar en tecnologías ya presentes desde BiCS de octava generación, como CMOS directly Bonded to Array y On-Pitch Select Gate Drain. En la práctica, Kioxia sigue apoyándose en una combinación de apilado avanzado y optimización de arquitectura para mejorar al mismo tiempo capacidad útil, velocidad y eficiencia, una línea de trabajo que se ha convertido en la ruta común de los grandes fabricantes de NAND.

Kioxia refuerza una tendencia que también ha marcado Sandisk al mismo tiempo

El anuncio de Kioxia coincide con el de Sandisk, que ya ha comunicado el sampling de su BiCS10 TLC de 1 Tb, con cifras muy similares en capas, velocidad y densidad. En ambos casos aparecen 332 capas, una interfaz de hasta 4,8 Gb/s y mejoras claras en densidad y consumo frente a generaciones anteriores. La coincidencia no es casual, ya que las dos compañías colaboran en el desarrollo de este tipo de soluciones. Ambas están empujando el mismo tipo de transición tecnológica en un mercado donde el almacenamiento flash tiene que adaptarse al crecimiento de las cargas de IA y a la necesidad de meter más capacidad en menos espacio y con menos gasto energético.

Kioxia explica además que mantiene una estrategia de doble eje con dos familias diferenciadas. Por un lado, la novena generación, orientada a ofrecer alto rendimiento con una inversión relativamente contenida. Por otro, esta décima generación, que se apoya en un apilado más agresivo para lograr más capacidad y mejores prestaciones. Ese reparto deja ver cómo los fabricantes intentan cubrir al mismo tiempo necesidades de coste, volumen y avance técnico dentro de una industria donde no todo el mercado puede moverse al mismo ritmo.

La producción de estos nuevos dispositivos está prevista en la planta Kitakami Fab2, en Japón, con equipamiento de última generación. Por ahora hablamos de muestras, no de producción masiva, pero el movimiento confirma que Kioxia quiere estar bien posicionada en la siguiente fase del mercado NAND, justo cuando la memoria flash vuelve a ganar protagonismo como soporte esencial para servidores, SSD empresariales y sistemas preparados para inteligencia artificial.

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