Micron planea producir en masa memorias 3D NAND de 128 capas con su arquitectura Replacement Gate el próximo trimestre

Los planes de Micron para el siguiente trimestre son producir en masa sus nuevos chips NAND 3D de 128 capas utilizando la arquitectura Replacement Gate.

Micron está teniendo un año ajetreado en cuanto a desarrollo se refiere. Hace unos días nos hacíamos eco de que presentará a finales de este año memorias DRAM HBM2 de alto rendimiento, así como de la producción de memorias 3D Xpoint para Intel y sus SSDs Optane de alto rendimiento. Ahora, el CEO y presidente de Micron ha anunciado que planean producir en masa nuevos chips NAND 3D de 128 capas que harán uso de una nueva arquitectura desarrollada, Replacement Gate. Esta arquitectura, abreviada como RG, reemplaza la tecnología de puerta flotante que llevan muchos años utilizando tanto Intel como Micron, prometiendo una reducción considerable en el tamaño de los dies de los chips, un menor coste y una mayor eficiencia.

Sin embargo, Micron no tiene pensado producir todos sus chips bajo la nueva arquitectura, si no que hará un reemplazo gradual, aunque asegura que para finales de este año estarán en venta y sumarán una parte significativa de su producción total. La arquitectura Replacement Gate también apunta a una mejor integración en los próximos nodos de fabricación, así como una mejor implementación con más de 128 capas, que son las que actualmente admite como máximo la tecnología anterior bajo la producción de Micron.

Fin del Artículo. ¡Cuéntanos algo en los Comentarios!