Samsung fabricará sus primeros chips a 3 nanómetros en 2022 con la tecnología MBCFET

por Antonio Delgado 14/04/2020 ...

Samsung planea comenzar la fabricación de sus primeros chips a 3 nanómetros durante el año 2022 según los datos a los que ha tenido acceso hardwareluxx. Para ello, la compañía coreana introducirá cambios importantes en su tecnología de fabricación de transistores como es la llegada de la tecnología Multi-Bridge Channel FET. Con este sistema de diseño, Samsung asegura que se conseguirán aumentos de rendimiento de hasta un 30% respecto de la generación anterior, al mismo tiempo que el consumo podría reducirse a la mitad al poder reducir también el voltaje necesario para su funcionamiento

Pasar de 7nm FinFET a 3 nm MBCFET supondrá una reducción de espacio en los chips entorno al 45% gracias a que será posible apilar los transistores de manera vertical haciendo que el área ocupada sea menor.

Esta tecnología de transistores apilados está basada en la tecnología GAAFET (Gate all around) que implementa las puertas de los transistores de manera apilada en los laterales, con cuatro puertas por cada canal al recubrirlo enteramente por los 4 laterales. Por ejemplo, en la tecnología FINFET, tenemos 3 puertas por canal, ya que solo se cubre tres lados, y en los FET planos solamente hay una puerta en la zona superior.

Por otro lado, TSMC ya anunció a finales del pasado año que su proceso de fabricación de 3 nanómetros comenzará, tras adelantar su roadmap, durante el segundo trimestre del 2022. Por lo que parece indicar que el 2022 será el año en el que los 3 nanómetros empezarán a llegar a todo tipo de dispositivos

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Redactor del Artículo: Antonio Delgado

Antonio Delgado

Ingeniero Informático de formación, redactor y analista de hardware en Geeknetic desde 2011. Me encanta destripar todo lo que pasa por mis manos, especialmente lo más novedoso en hardware que recibimos aquí para hacer reviews. En mi tiempo libre trasteo con impresoras 3d, drones y otros cachivaches. Para cualquier cosa aquí me tienes.

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