Samsung ha comenzado la fabricación en masa de su memoria NAND vertical de octava generación, tal y como había anunciado en el Flash Memory Summit de este mismo año. Esta memoria cuenta con la más alta densidad de bits y la mayor capacidad de almacenamiento que darán vida a los próximos SSD para entornos empresariales. Estos SSD permitirán mayores velocidades con las que suplir los requisitos del bus PCI Express 4.0 y posteriormente de la versión 5.0 que alcanzará velocidades más rápidas.
El fabricante ha comenzado la producción de esta nueva celda de memoria de triple nivel de 1 Tb de capacidad TLC V-NAND, también llamada NAND Vertical, de octava generación. Esta celda contará con densidad de bits más alta de la industria. Gracias a su capacidad de 1 Tb dará vida a unidades de almacenamiento superior que ofrecerá soluciones con mayor capacidad en una misma unidad para servidores y centros de datos que así lo requieran. Con esta nueva memoria V-NAND Samsung ha conseguido reducir el área de superficie y la altura, evitando que entre celdas haya interferencias comunes cuando el tamaño es reducido.
Estas nuevas memorias también son capaces de alcanzar velocidades más altas de hasta un 20% más que la generación anterior, esto es hasta 2,4 Gbps gracias a la interfaz Toggle DDR 5.0.
Samsung no ha anunciado cuando estarán disponibles para esas nuevas unidades más rápidas y con mayor capacidad.
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