Kioxia desarrolla Twin BiCS Flash, una nueva estructura de memoria NAND que duplica la densidad de QLC

Kioxia, anteriormente conocida como Toshiba Memory, que cambió su nombre el pasado mes de octubre, ha desarrollado una nueva estructura para la memoria NAND Flash a la que han bautizado como Twin BiCS Flash, que básicamente dobla la densidad ofrecida por la actual QLC (celdas de cuádruple nivel) con 4 bits por celda.

Kioxia ha anunciado la tecnología en la reunión Internacional de Dispositivos Electrónicos de IEEE (IEDM) celebrada en San Francisco, el 11 de diciembre. La estructura de las celdas en Twin BiCS Flash se presenta de forma semicircular, en lugar del actual formato circular presente en QLC, básicamente se corta una celda por la mitad dividiendo el electrodo de compuerta en la celda circular convencional duplicando así su densidad y eliminando el actual problema de apilar más capas para conseguir mayor capacidad de almacenamiento.

El diseño de división semicircular permite evitar fugas por el efecto del túnel dieléctrico a la vez que aumenta la eficiencia de velocidad a la hora de programar una celda con información y permite un mejor control sobre los voltajes.

Este diseño hace posible la implementación de más de 4 bits por celda (QLC) dando paso a PLC (celdas de quíntuple nivel) o 5 bits por celda, confirmando que las células FG (puerta flotante) semicirculares son una opción viable para buscar una mayor densidad de bits.

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