La UltraRAM está lista para su producción: hasta 4.000 veces más duración y 1.000 años de retención de datos

Ya hace varios años que escuchamos hablar de una alternativa a la memoria DRAM, la UltraRAM. Esta nos prometía velocidades de almacenamiento y velocidad similares a la DRAM, pero con 4.000 veces la durabilidad de esta y con una retención de datos de hasta 1.000 años. Parece que esta UltraRAM ha conseguido avanzar lo suficiente para comenzar su fabricación. Quinas Technology ha estado trabajando durante el último año para la creación de dispositivos de prueba que usan este tipo de memoria.

UltraRAM ofrece 4.000 veces más durabilidad y 1.000 años de almacenamiento de datos

La UltraRAM ahora cuenta con un nuevo diseño de epitaxia de antimoniuro de galio y antimoniuro de aluminio, que permitirá producir en volumen esta memoria. Un proceso que depende del cultivo de los semiconductores sobre capas de cristal, donde más tarde se aplicará el grabado y la fotolitografía que permiten crear las estructuras para esta memoria. Un proceso que lo definen para la creación de la próxima generación de semiconductores, de la que ya hemos escuchado hablar que se cambiaría el sustrato orgánico por el cristal.

Una producción que ha sido posible gracias al trabajo en conjunto de Quinas Technology, que está detrás de la UltraRAM, junto con el fabricante IQE plc. Un avance que ha dado lugar a la producción piloto en la que además estás interesados otros colaboradores.

La UltraRAM está lista para su producción

Una tecnología que parecía haber quedado en la nada, pero que vemos que su producción en volumen próxima puede llevar a la comercialización de esta UltraRAM y que comience a aparecer en dispositivos en breve.

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