Samsung ha retomado las inversiones en su planta de Taylor, Texas, con la idea de instalar líneas de producción avanzadas de 2 nanómetros. Tras varios meses de pausa, la compañía surcoreana acelera su estrategia para competir en el mercado estadounidense frente a TSMC e Intel, con un plan que incluye incorporación de personal, nuevo equipamiento de fundición y la preparación de procesos de fabricación de última generación.
El nodo de 2 nm como apuesta clave en Estados Unidos
De acuerdo con la información disponible, Samsung ha completado la selección de personal para la planta, con despliegues previstos en septiembre y noviembre. Además, la instalación cuenta ya con un nuevo responsable de fundición, lo que apunta a una mayor autonomía en las operaciones de la filial estadounidense. El proyecto toma impulso tras el acuerdo con Tesla para fabricar los chips AI6, que requieren procesos de 2nm.
La compañía ha finalizado el diseño básico de su segunda generación de transistores GAA en 2nm, que será el pilar de la producción en Taylor. El objetivo es alcanzar una capacidad mensual de entre 16.000 y 17.000 obleas de 12 pulgadas hacia finales de este año. No obstante, la producción a gran escala no llegaría antes de finales de 2026 o comienzos de 2027, dependiendo de la estabilización de los rendimientos de fabricación.
El proyecto llega tras los retrasos en los planes originales de Samsung, que contemplaban fabricar en 4nm en esta misma planta, un objetivo que finalmente no se llegó a cumplir. Con el salto al nodo de 2 nm, la empresa busca mejorar su posición en el mercado de semiconductores avanzados y captar clientes estratégicos en Estados Unidos, como ya están haciendo algunos de sus competidores.
Entre los posibles socios figuran compañías como NVIDIA, Apple y AMD, interesadas en asegurar capacidad de producción en territorio estadounidense. Sin embargo, la competencia será intensa, ya que tanto Intel como TSMC planean operar en el país con nodos equivalentes en los próximos años.
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