Samsung ya fabrica chips DDR3 a 20 nanómetros

por Antonio Delgado 11/03/2014 ...

Samsung ha anunciado el inicio de la fabricación en masa de sus primeros chips de memoria DDR3 con un proceso de fabricación de 20 nanómetros. Estos chips tienen una capacidad de 4 Gigabits (no confundir con Gigabytes) y, gracias al nuevo proceso de fabricación, se consigue una productividad en su fabricación de alrededor de un 30% respecto a los anteriores chips a 25nm.

La reducción a 20 nm también permite nuevos módulos de memoria DDR3 con una mayor eficiencia energética, ofreciendo más potencia con el mismo consumo o pudiendo fabricar módulos con un consumo menor, algo indispensable hoy en día con los avances en el mercado de dispositivos móviles. Estos módulos podrán funcionar a un voltaje de unos 1.25 v de media, con un mínimo de 1.19V y velocidades de hasta 1866 MHz.

Samsung ya fabrica chips DDR3 a 20 nanómetros, Imagen 1

Según ha comentado la compañía, la dificultad en bajar hasta los 20 nm en memorias DRAM ha sido mucho mayor que la reducción en el mercado de memorias NAND para SSD y otros dispositivos de almacenamiento, la causa principal es que en las memorias DRAM, cada celda requiere de un condensador acompañando al transistor, mientras que en los módulos NAND el condensador no es necesario.

La tecnología necesaria para bajar hasta los 20 nanómetros también es la base para el próximo paso: llegar a chips de memoria DRAM de 10 nanómetros, algo que tendremos que esperar todavía unos cuantos años.

Samsung ya fabrica chips DDR3 a 20 nanómetros, Imagen 2