HBM3

La JEDEC ha publicado el estándar de memoria HBM3 duplicando el ancho de banda y los canales de HBM2

Aunque comenzaron con 665 GB/s las nuevas memorias de alto ancho de banda HBM3, SK hynix las actualizó para ofrecer hasta 819 GB/s. Algo que no ha sido por casualidad dado que la JEDEC ha publicado la actualización del...

Samsung está trabajando en la nueva memoria DDR6 que podrá alcanzar hasta los 18.000 MHz

Cuando acaba de lanzarse, aunque con ciertas dificultades, la memoria DDR5, Samsung ya nos habla de la próxima generación de memorias DDR6. El estándar de la JEDEC para la próxima memoria DDR6 aún no ha sido...

SK hynix desarrolla las primeras memorias HBM3 con velocidades de 819 GB/s

SK hynix es la primera empresa en desarrollar la memoria HBM3. Esta nueva generación de memoria con un gran ancho de banda promete velocidades mucho mayores que las anunciadas por ellos mismos hace unos meses. En esta nueva...

Samsung estandariza su memoria HBM-PIM que se podrá integrar en módulos DRAM y memoria móvil
Hot Chips 33

Samsung estandariza su memoria HBM-PIM que se podrá integrar en módulos DRAM y memoria móvil

El pasado mes de febrero Samsung presentó su primera unidad HMB-PIM, unas memorias con un gran ancho de banda y sistema de IA integrado. Con motivo de la celebración de la feria Hot Chips 33 Samsung ha dado un paso más...

InnoSilicon promete 920 GB/s por cada módulo de sus memorias HBM3

Recientemente os hablábamos de los planes de SK Hynix para lanzar memorias HBM3 con 665 GB/s por módulo y 5,2 Gbps por pin de datos. Ahora es InnoSilicon la que ha mostrado datos de su próxima generación de memorias...

Las memorias HBM3 de SK Hynix superarán los 665 GB/s por cada módulo

La sucesora de la actual memoria HBM2e se denominará HBM3 o memoria de alto ancho de banda de tercera generación. SK Hynix ha desvelado, en su portal sobre la actual generación, que sus tecnología HBM 3...